در این تحقیق با استفاده از روش تابع گرین در رهیافت تنگابست به مطالعه‏ی ترابرد الکترونی یک سامانه ی چند مولکولی فتالوسیانین مس متصل دو هادی فلزی پرداخته شده است. نتایج نشان می دهد که در گاف های این سامانه چگالی حالت های الکترونی مستقل از تعداد مولکول ها یا طول سامانه رفتار می‏کند. همچنین افزایش طول سامانه علاوه بر کاهش رسانش تونل زنی، باعث ظهور دره ها و قله هایی در گاف های طیف رسانش می شود و بست...

در این مقاله توسط رهیافت تنگابست با استفاده از روش ماتریس انتقال و تقریب همسایه اول به بررسی رسانش الکترونی یک چندپار پلی استیلن محصور بین دو زنجیره ساده پرداخته؛ و با افزودن مولکول های بنزن به پلی استیلن رسانش سامانه را در تبدیل آن به چندپار پلی استیرن به دست می آوریم. نتایج نشان می دهد هر چه تعداد مولکول های بنزن در سامانه مرکزی بیشتر باشد، رسانش الکترونی در ناحیه تونل زنی پلی استیلن بهبود یا...

ترابرد الکترونی در ساختار nsn گرافینی, که در آن دو ناحیه نرمال با یک نوار ابررسانا به ضخامت d به هم متصل شده اند, را بررسی می کنیم. ترابرد از اتصال را در چارچوب معادله dbdg بر حسب فرایندهای مختلف پراکندگی شامل تونل زنی کوانتومی و بازتاب محلی و ضربی اندریو توصیف می کنیم. مقایسه با ساختار تمام نرمال نشان می دهد که وابستگی زاویه ای احتمال عبور در حضور همبستگیهای ابررسانایی به شدت مختل می شود. این ...

در این مقاله به کمک روش تابع گرین و رهیافت تنگابست، رسانش الکترونی یک نانو حلقه ی پلی استیلنی را در اندازه های متفاوت در حضور و غیاب میدان مغناطیسی بررسی می کنیم. دو موردی از نانو حلقه را که تعداد پیوندهای یگانه و دوگانه در دو مسیر ممکن الکترون یکسان باشد و نباشد، مورد بررسی قرار می دهیم. نتایج نشان می‌دهد که با افزایش طول نانو حلقه، رسانش تونل زنی در ناحیه ی گاف به صورت نمایی کاهش و تعداد قله ...

فرآیند رشد و تولید سطوح و فصول مشترک با شکل و خواص متفاوت، به دلیل کاربرد در ساخت قطعات الکترونیکی از موضوعات مورد توجه در کارهای نظری و تجربی به شمار می¬رود. به همین دلیل در رساله¬ی حاضر به دو مبحث پراخته می¬شود که ارتباطی بسیار نزدیک دارند. مبحث اول به رشد سطوح با استفاده از توابع همبستگی خاص و روش¬های نشست استاندارد اختصاص دارد. تمامی سطوح تولید شده در این روش¬ها ناهموار بوده و ریخت شناسی آن...

کاهش اندازه ماسفت ها منجر به افزایش توان مصرفی استاتیک می شود. به منظور بهبود بازده انرژی مدارات الکترونیکی، سوئیچهایی با شیب کم برای جایگزینی یا بکارگیری ماسفت های مرسوم که امروزه به وفور مورد استفاده قرار می گیرند، مورد توجه می باشد. فت هایتونلی، که دارای پیوند p-i-n هستند و جریان روشن آنها از تونل زنی باند به باند ناشی می شود، ترانزیستورهای جدید و مورد توجه برای کاربردهای کم توان، به خاطر جر...

در این پایان نامه ترابرد کوانتومی در دو ساختار گرافینی بالیستیک مطالعه می شود. ابتدا به بررسی اتصالات نامتجانس نرمال-ابررسانا-نرمال گرافینی می پردازیم. همدوسی ابررسانایی باعث می شود در فرود الکترون از ناحیه نرمال اول به مرز اتصال با ابررسانا، علاوه بر پراکندگی (ترابرد) به صورت الکترون به ناحیه نرمال دوم (تونل زنی الکترونی)بازتاب ضربی اندریو (پراکندگی به صورت حفره به ناحیه نرمال دوم) نیز صورت بگ...

در این پایان نامه بعد از معرفی میکروسکوپهای stm و afm چگونگی کارکرد آنها مورد بررسی قرار گرفته است . زیگنالهای دریافتی از نوک میکروسکوپ stm بعد از تبدیل d to a به عنوان داده های ابتدایی مورد پردازش قرار گرفته و روشهایی برای بهبود تصاویر به دست آمده است و همینطور چگونگی دریافت اطلاعات مورد نظر از تصاویر در اثر پردازش بحث شده است . در انتها نیز طراحی نرم افزاری با فرض در اختیار داشتن برخی پارامتر...

نانوتیوپهای کربنی سیستمهای با خواص الکتروـ مکانیکی جالبی هستند که بعلت داشتن مدول یانگ بالا می توانند بعنوان مواد عملگر و حسگر استرین جایگزین مواد پیزوالکتریک شوند. بر اثر تونل زنی یک الکترون به داخل نانوتیوپ و پتانسیل الکتروستاتیکی ناشی از اندرکنش آن با بارهای قطبیده نیرویی کششی موازی با محور نانوتیوپ ایجاد می شود. همچنین براثر نیروی الکتروستاتیک عمود بر نانوتیوپ، کمی خمیدگی در آن ایجاد می شود...

در این پایان نامه، بر اساس رهیافت تابع گرین و هامیلتونی تنگابست، در تقریب نزدیکترین همسایه ها، به بررسی ترابرد الکترونی در ترانزیستورهای اثر میدانی گرافینی، بر اساس تونل زنی کوانتومی، خواهیم پرداخت. این ترانزیستورها شامل دو نانونوار گرافینی است؛ که چند لایه بور-نیترید در بین آن ها جای گرفته است. نتایج نشان می دهد، که در انرژی هایی در محدوده سد تونل زنی، ترابرد حامل های بار به تعداد لایه های بور...